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敷面膜20分钟后如果没干还敷吗,敷面膜20分钟后如果没干还敷吗 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息。

  美光(guāng)公司在华销售(shòu)的产品未通过网络安全审查

  据(jù)网信办(bàn)消息,日前,网络(luò)安全审查办(bàn)公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

  审查发现,美(měi)光公司产品存(cún)在较(jiào)严重网络安全问题(tí)隐(yǐn)患,对我国关键信息基(jī)础设(shè)施(shī)供(gōng)应链造成(ché敷面膜20分钟后如果没干还敷吗,敷面膜20分钟后如果没干还敷吗ng)重大安全风(fēng)险,影响我国国(guó)家安全。为此,网络(luò)安全审查办公室依法作出(chū)不予通过(guò)网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规,我国内(nèi)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)的(de)运(yùn)营者应(yīng)停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产品。

  此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全审查,目的(de)是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息基(jī)础设(shè)施安全,是维护(hù)国家安全的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高(gāo)水平对(duì)外(wài)开放,只要遵守中国法律法规要(yào)求,欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国(guó)市场。

  半导(dǎo)体(tǐ)突(tū)发!中国(guó)出(chū)手:停止采购!

  3月31日,中国(guó)网(wǎng)信(xìn)网发文(wén)称,为保(bǎo)障关键信息(xī)基础设(shè)施供应链安全,防范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险,维(wéi)护国家安全,依据《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民(mín)共和(hé)国网络安全法》,网络安全审(shěn)查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法(fǎ)》,对美光公司(Micron)在华销售的(de)产品实施敷面膜20分钟后如果没干还敷吗,敷面膜20分钟后如果没干还敷吗网络安全审(shěn)查(chá)。

  半(bàn)导体突发!中国出(chū)手:停止采(cǎi)购(gòu)!

  美光是(shì)美国(guó)的存储芯片行业龙(lóng)头,也是全球存储芯片巨(jù)头(tóu)之一,2022年收入来自中国市(shì)场(chǎng)收入从此前高峰57%降至(zhì)2022年约11%。根据市场咨询机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市场份(fèn)额约为 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM (内存)市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35%。

  A股上(shàng)市公司中,江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国际存(cún)储厂商为(wèi)公司供应商。

  美(měi)光在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比已经显著下降(jiàng),至(zhì)少(shǎo)已经不(bù)是主(zhǔ)要大供应商。

  公(gōng)告显示, 2敷面膜20分钟后如果没干还敷吗,敷面膜20分钟后如果没干还敷吗021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商,采购约(yuē)31亿(yì)元,占比(bǐ)33.52%;2022年,江波(bō)龙第一大、第二大(dà)和第(dì)三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示(shì),江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期(qī)合约,确(què)保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定性,巩固公司在下游(yóu)市场的(de)供应优势,公司也与国内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良(liáng)好的合作(zuò)。

  有(yǒu)券商此(cǐ)前(qián)就分析,如果美(měi)光在中国区销售受(shòu)到限制,或将导致(zhì)下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士,国内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存(cún)储(chǔ)等竞对产品

  分(fēn)析称,长存(cún)、长鑫(xīn)的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代,2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤,同时刻(kè)蚀目前前(qián)沿要刻到(dào) 60:1的深(shēn)孔,未来可能会更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽(cáo),催生更多设备需求。据(jù)东京电(diàn)子(zi)披露,薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合(hé)计为75%。自长江存储被(bèi)加入美(měi)国限制(zhì)名(míng)单,设(shè)备国产化进(jìn)程加速,看好拓(tuò)荆(jīng)科技(jì)(薄膜沉积)等相关(guān)公司份额提升,以(yǐ)及存储业务占比较高的华(huá)海清科(CMP)、盛美上(shàng)海(清洗(xǐ))等收(shōu)入增(zēng)长。

 

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