大家(jiā)好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光(guāng)公司在(zài)华销售的(de)产品未通(tōng)过网络安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全(quán)审查办公室依法对美光公司在华销售产品进(jìn)行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产(chǎn)品存在较(jiào)严重(zhòng)网络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链造成重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查(chá)办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国(guó)内关键信息基础设施的运营(yíng)者(zhě)应停(tíng)止采购美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司产品进行网(wǎng)络(luò)安全审查，目(mù)的是防范产品网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施(shī)安全，是维(wéi)护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进高水平对(duì)外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入(rù)中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关键信息基础设(shè)施供应链安(ān)全(quán)，防范产品问题隐患造成(chéng)网(wǎng)络安(ān)全(quán)风险，维护国家(jiā)安全，依据《中(zhōng)华人民共(gòng)和(hé)国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室按照《网络(luò)安全审查办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市(shì)公司中，江波龙、佰维存(cún)储等(dě始祖鸟什么档次 穿始祖鸟是有钱人吗lor: #ff0000; line-height: 24px;'>始祖鸟什么档次 穿始祖鸟是有钱人吗ng)公司披露过美光等国(guó)际存储厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已(yǐ)经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美(měi)光(guāng)位(wèi)始祖鸟什么档次 穿始祖鸟是有钱人吗列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商(shāng)采购金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下(xià)游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三星、美(měi)光、西部数据(jù)等主要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司(sī)在下游市场(chǎng)的供应优势，公司(sī)也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前(qián)就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售(shòu)受到(dào)限(xiàn)制(zhì)，或(huò)将导(dǎo)致下游客户转而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备(bèi)厂或从中受益(yì)。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备(bèi)需(xū)求。据(jù)东京电(diàn)子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加入美国限制名单，设备国(guó)产化进(jìn)程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以(yǐ)及存(cún)储业务占比较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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