大家好，来看一(yī)则(zé)突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通(tō愿你平安喜乐,顺遂无忧什么意思，平安喜乐顺遂无忧什么意思 平安喜乐顺遂无忧意思解析ng)过网络(luò)安全审查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全(quán)审查办公室依(yī)法对美光公(gōng)司在华销售产品进行(xíng)了(le)网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链(liàn)造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为此，网络安(ān)全审查办公室依(yī)法作出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息基础设(shè)施的运(yùn)营(yíng)者(zhě)应停止采购(g愿你平安喜乐,顺遂无忧什么意思，平安喜乐顺遂无忧什么意思 平安喜乐顺遂无忧意思解析line-height: 24px;'>愿你平安喜乐,顺遂无忧什么意思，平安喜乐顺遂无忧什么意思 平安喜乐顺遂无忧意思解析òu)美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)进行网络安(ān)全审查，目的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络安(ān)全问题危害国(guó)家(jiā)关(guān)键信息基础设施安全，是(shì)维护国家安全的(de)必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发(fā)文称(chēng)，为(wèi)保障关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国(guó)家安全，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安全审查办(bàn)法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实(shí)施网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美光是美国的(de)存储芯(xīn)片(piàn)行(xíng)业龙(lóng)头(tóu)，也是(shì)全(quán)球(qiú)存储芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年收(shōu)入来自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江(jiāng)波龙(lóng)第一大(dà)存(cún)储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二(èr)大(dà)和(hé)第三大(dà)供应商(shāng)采购金额占(zhàn)比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经在(zài)存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建立国内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂签署了(le)长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供(gōng)应优(yōu)势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光(guāng)在中国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制，或(huò)将导致(zhì)下游客户(hù)转而采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对(duì)产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游设(shè)备(bèi)厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最大量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能会(huì)更深的(de)孔或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备需(xū)求。据(jù)东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入美(měi)国限制名单，设(shè)备国产化进(jìn)程(chéng)加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄(báo)膜(mó)沉(chén)积）等相关公司(sī)份额(é)提升，以及存(cún)储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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