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　　美(měi)光公司在(zài)华销售的产品(pǐn)未通(tōng)过网络安全审(shěn)查(chá)

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安(ān)全审查办除牛反绒是真皮吗，二层牛皮除牛反绒是真皮吗公(gōng)室依法对美光(guāng)公司在(zài)华销售产品进行(xíng)了(le)网络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司产品(pǐn)存在(zài)较严(yán)重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施(shī)供应链造成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依(yī)法作(zuò)出不予通过网络安全(quán)审查(chá)的结论(lùn)。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内关键(jiàn)信息(xī)基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购(gòu)美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)进行网络安全审查，目的(de)是(shì)防范产(chǎn)品网(wǎng)络安(ān)全问题危害国家关键信息(xī)基础设施(shī)安全，是(shì)维护国家安全(quán)的必(bì)要措施(shī)。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高水平对(duì)外开放，只要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服(fú)务进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文(wén)称，为保障(zhàng)关键信(xìn)息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全风险，维(wéi)护国家安(ān)全，依据《中华人民(mín)共和国国家安全(quán)法》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照(zhào)《网络(luò)安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存(cún)储芯片行(xíng)业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自(zì)中国市(shì)场收(shōu)入(rù)从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm除牛反绒是真皮吗，二层牛皮除牛反绒是真皮吗 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露(lù)过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著下(xià)降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江(jiāng)波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业(yè)链上下游建立国内外(wài)广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司(sī)也与(yǔ)国内国(guó)产存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析，如果(guǒ)美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内(nèi)长江存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称(chēng)，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为最关键、最(zuì)大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需(xū)求。据东京电子(zi)披露，薄膜(mó)沉积(jī)设(shè)备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限(xiàn)制名单(dān)，设备国产(chǎn)化进程加(jiā)速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以及存(cún)储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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