大家(jiā)好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公司在(zài)华销售的产品未通过网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审查办公室依(yī)法(fǎ)对(duì)美光公司(sī)在(zài)华销售产品进行(xíng)了(le)网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美(měi)光公司产品存在较严重网络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作出不予通过(guò)网(wǎng)络安全审查(chá)的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内(nèi)关键信息基础(chǔ)设(shè)施的运营者应停止采购(gòu)美光(guāng)公司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司(sī)产品进行网络安全审查，目的(de)是防(fáng)范(fàn)产品网络安全问题危害(hài)国家关键信息基(jī)础设施安全，是维护国家安全的必要(yào)措施。中国(guó)坚定推(tuī)进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守(shǒu)中国法律法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服(fú)务(wù)进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施(shī)供应链安全，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护(hù)国(guó)家安全，依据《中华(huá)人民共和国(guó)国(guó)家安(ān)全法(fǎ)》《中(zhōng)华人(rén)民共和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全(quán)审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收(shōu)入来(lái)自(zì)中国(guó)市场收入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公(gōng)司(sī)披露过(guò)美光等(děng)国际(jì)存储(chǔ)厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示(shì)， 2021年美(měi)光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大(dà)供(gōng)应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙(lóng)已经在存储产业(yè)链上下(xià)游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年(nián)年(ni两个字的励志词语精选，两个字的励志词语有内涵,有深度án)报显(xiǎn)示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期(qī)合约，确(què)保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公(gōng)司在(zài)下游市(shì)场的供应优(yōu)势，公(gōng)司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析(xī)，如果(guǒ)美光在中国区(qū)销售受(shòu)到限制(zhì)，或将导致下(xià)游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国(guó)内长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品(pǐn)两个字的励志词语精选，两个字的励志词语有内涵,有深度ong>

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器(qì)的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维(wéi)的(de)结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生更多设(shè)备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相关(guān)公司(sī)份额提升(shēng)，以及存储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。