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　　美光(guāng)公司在华销售的(de)产(chǎn)品(pǐn)未通过网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室(shì)依法对美光公司在华销售产品进行了网络(luò)安全审查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重网(wǎng)络安全(quán)问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重(zhòng)大(dà)安(ān)全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络(luò)安(ān)全(quán)审查办公室依(yī)法(fǎ)作出不予通过网络(luò)安全审查的结(jié)论(lùn)。按(àn)照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规(guī)，我国内关(guān)键信息基础设施(shī)的运(yùn)营者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光(guāng)公司产品。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品进行网(wǎng)络安(ān)全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题(tí)危害(hài)国家关键信息基础设(shè)施安全，是维护国(guó)家安全的必(bì)要(yào)措施。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水平对(duì)外开放，只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎各(gè)国(guó)企业、各类平台(tái)产品(pǐn)服务进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施供(gōng)应(yīng)链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室按照(zhào)《网络安(ān)全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美(měi)光是美国的(de)存储芯片行业龙头(tóu)，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来(lái)自中国市场收(shōu)入从(cóng)此前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电(diàn)子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存(cún)储(chǔ)等公司披露过美(měi)光(guāng)等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著(zhù)下降，至(zhì)少(shǎo)已经不(bù)是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应商采购金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.7蒂玮娜手表是杂牌吗，蒂玮娜手表一千多值得买吗6％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下蒂玮娜手表是杂牌吗，蒂玮娜手表一千多值得买吗(xià)游建立国内(nèi)外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西部(bù)数据等(děng)主要存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签(qiān)署(shǔ)了长(zhǎng)期合(hé)约(yuē)，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公(gōng)司(sī)在下游市场的供应优势，公司也与国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经(jīng)过薄(báo)膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能(néng)会更深的(de)孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国限制名(míng)单，设(shè)备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司(sī)份额提升，以及存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收(shōu)入增长。

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