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　　美光公司在华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信(xìn)办消息，日前(qián)，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办公室(shì)依法对美(měi)光公司(sī)在华销售产品进(jìn)行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全(quán)问题隐患，对(duì)我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)作(zuò)出不予通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律(lǜ)法规，我国(guó)内关键信息基(jī)础(chǔ)设施的运营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品进(jìn)行网络安全(quán)审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全(quán)问题危害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是(shì)维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国(guó)企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基(jī)础设施供(gōng)应链安(ān)全，防(fáng)范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据(jù)《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办公室按照《网络安全审(shěn)查(chá)办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一(yī)，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光(guāng)在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公司披(pī)露过美(měi)光等国际(jì)存(cún)储(chǔ)厂商(shāng)为(wèi)公(gōng)司(sī)供应(yīng)商(shāng)。

　　美(měi)光在(zài)2197的立方根是多少，216的立方根是多少江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已(yǐ)经不是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二大和第(dì)三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链(liàn)上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了长期(qī)合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势，公(gōng)司也与国(guó)内国(guó)产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的(de)结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电(dià2197的立方根是多少，216的立方根是多少n)子(zi)披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为2197的立方根是多少，216的立方根是多少(wèi)75％。自长江存储被加入(rù)美国(guó)限(xiàn)制名单，设(shè)备国产(chǎn)化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额(é)提(tí)升，以及存储(chǔ)业(yè)务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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