大家(jiā)好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前(qián)，网络(luò)安(ān)全审查(chá)办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　审查发现，美(měi)光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息(xī)基础设施供应链造(zào)成重大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国(guó)国家安全。为此，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室依法作出不予通过感谢你特别邀请来见证你的爱情是什么歌，感谢你特别邀请来见证你的爱情是什么歌曲网(wǎng)络(luò)安全审查的结论。按照《网络安(ān)全(q感谢你特别邀请来见证你的爱情是什么歌，感谢你特别邀请来见证你的爱情是什么歌曲uán)法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内关键信(xìn)息(xī)基础设施的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采购美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美(měi)光公司(sī)产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安全感谢你特别邀请来见证你的爱情是什么歌，感谢你特别邀请来见证你的爱情是什么歌曲(quán)，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品(pǐn)服务进入(rù)中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称(chēng)，为保障关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安全，依(yī)据(jù)《中华人民(mín)共(gòng)和国(guó)国(guó)家安(ān)全(quán)法》《中华(huá)人民共和国(guó)网络安全法(fǎ)》，网络安(ān)全审(shěn)查办公室(shì)按(àn)照《网络安(ān)全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国(guó)的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球(qiú)存储芯(xīn)片巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来自中国市场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公(gōng)司披露(lù)过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占(zhàn)比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第(dì)二(èr)大(dà)和第三大(dà)供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经在存储产(chǎn)业链(liàn)上下游建立(lì)国内外广泛合(hé)作。2022年(nián)年(nián)报(bào)显示，江(jiāng)波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游(yóu)市(shì)场的供应(yīng)优势(shì)，公司也(yě)与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良(liáng)好的(de)合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果(guǒ)美光在中国区(qū)销售受到限(xiàn)制，或将导致下游(yóu)客(kè)户转而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储器的(de)生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关键、最大量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过(guò)薄膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储被加入(rù)美国限制名单，设备国(guó)产化进(jìn)程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存(cún)储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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