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　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通(tōng)过网络安(ān)全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消(xiāo)息(xī)，日前，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依(yī)法(fǎ)对美(měi)光公司在华销售产品(pǐn)进(jìn)行了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查(chá)发(fā)现，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施供(gōng)应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国(guó)家安全(quán)。为(wèi)此，网络(luò)安全审查办公室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络(luò)安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规，我(wǒ)国内关键(jiàn)信息浙k是浙江哪个城市的基础设(shè)施的运(yùn)营(yíng)者(zhě)应停止采(cǎi)购(gòu)美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的(de)是防范产品网络(luò)安全问题危害国家关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)安(ān)全，是(shì)维护(hù)国(guó)家安(ān)全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文(wén)称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施(shī)供(gōng)应链安全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐(yǐn)患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全(quán)，依据(jù)《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安全(quán)法》，网络(luò)安全审(shěn)查办公(gōng)室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也(yě)是(shì)全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入(rù)来自中国市场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比(bǐ)已(yǐ)经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已经(jīng)不是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第(dì)二大(dà)和第三大供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业(yè)链(liàn)上下游建立国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下游市场的供应(yīng)优势，公司(sī)也与国内国产存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分(fēn)析，如果美光(guāng)在中国区销售(shòu)受(shòu)到(dào)限(xiàn)制，或将导(dǎo)致(zhì)下游(yóu)客户转而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对(duì)产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上(shàng)游设(shè)备厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备(bèi)需求。据(jù)东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开(kāi)支合(hé)计为(wèi)75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入(rù)美国限制名单浙k是浙江哪个城市的，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司份额(é)提升(shēng)，以及(jí)存储业(yè)务占(zhàn)比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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