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　　美光公(gōng)司在(zài)华销(xiāo)售的产(chǎn)品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室(shì)依法对美光公司在(zài)华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信息基础设施供应链(liàn)造成(chéng)重大安(ān)全(quán)风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依法作出不(bù)予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国(guó)内关键信息(xī)基础设(shè)施的(de)运营者应停止采购(gòu)美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公(gōng)司产品进行网络安(ān)全审(shěn)查，目(mù)的是防范(fàn)产品网络安全问题危害国家关键信息基础设(shè)施(shī)安全，是维(wéi)护国(guó)家(jiā)安(ān)全的(de)必(bì)要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法蜡的熔点是多少度律(lǜ)法(fǎ)规(guī)要求，欢迎(yíng)各(gè)国(guó)企业、各(gè)类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网发(fā)文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链(liàn)安(ān)全，防(fáng)范产品(pǐn)问题(tí)隐患造成网络安全风(fēng)险，维护(hù)国(guó)家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人(rén)民共和(hé)国网络安全法》，网络安(ān)全审查办公(gōng)室按照《网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查(chá)办(bàn)法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的(蜡的熔点是多少度de)产(chǎn)品(pǐn)实施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)行(xíng)业龙头，也是(shì)全球(qiú)存储芯(xīn)片巨(jù)头之一(yī)，2022年收入来自中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)收(shōu)入从此前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等(děng)国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不(bù)是主要大(dà)供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一(yī)大(dà)存储晶圆供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第(dì)三(sān)大供应商(shāng)采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在(zài)存储产业链上(shàng)下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年(nián)年报(bào)显示(shì)，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数(shù)据等(děng)主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优(yōu)势，公司(sī)也与国内国(guó)产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在中国区销售(shòu)受(shòu)到限制，或将(jiāng)导致下游(yóu)客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存(cún)储等(děng)竞对产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游设(shè)备厂或从中受(shòu)益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最(zuì)大量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步(bù)骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目(mù)前前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的(de)深孔，未来可能(néng)会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支(zhī)合计为(wèi)75％。自(zì)长(zhǎng)江存(cún)储被加入美(měi)国限制名单(dān)，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关公(gōng)司份额(é)提升，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较(jiào)高(gāo)的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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