大家(jiā)好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公(gōng)司在(zài)华销(xiāo)售的产品(pǐn)未(wèi)通过网络安全(quán)审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公司在(zài)华销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发(fā)现(xiàn)，美光公司产品存(cún)在较严(yán)重网络安全问题(tí)隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施(shī)供应链造成(chéng)重大安全风(fēng)险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施的(de)运营(yíng)者(zhě)应停止采(cǎi)购(gòu)美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进(jìn)行(xíng)网络(luò)安全审(shěn)查，目的是防(fáng)范产品网络安全(quán)问(wèn)题危害国(guó)家关键信息(xī)基础设施安全(quán)，是维护国家安全的必要措施(shī)。中国(guó)坚定推进(jìn)高水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业(yè)、各类(35c到底有多大，35c是多少lèi)平(píng)台产(chǎn)品服务进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网发文称，为保障关键信息(xī)基(jī)础设施供应链(liàn)安全(quán)，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依据《中(zhōng)华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室(shì)按照《网络安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是美国的(de)存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入(rù)来(lái)自中(zhōng)国市场收入(rù)从(cóng)此(cǐ)前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披(pī)露过(guò)美光等国(guó)际存储(chǔ)厂商(shāng)为(wèi)公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下(xià)降，至少(shǎo)已经不是主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大(dà)、第二大和第三(sān)大供(gōng)应商(shāng)采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存(cún)储产业链(liàn)上下游建立(lì)国内(nèi)外35c到底有多大，35c是多少广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数(shù)据等主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司在下游市(shì)场的供应优(yōu)势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或(huò)将(jiāng)导致(zhì)下游客户转而采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄(báo)膜沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资(zī35c到底有多大，35c是多少)本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自(zì)长江存储被加入美(měi)国(guó)限(xiàn)制名单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司份额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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