大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美(měi)光公司在华销售(shòu)的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依(yī)法(fǎ)对美光公司在华(huá)销售产品进(jìn)行了网络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键信息基础设(shè)施(shī)供应链(liàn)尿布疹擦红霉素软膏效果好吗，尿布疹红霉素软膏一天涂几次造成重大(dà)安全(quán)风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依法作出不予(yǔ)通(tōng)过网络安(ān)全审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络(luò)安全法》等(děng)法律法规，我国(guó)内关键(jiàn)信息基础设施(shī)的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络(luò)安(ān)全审查(chá)，目(mù)的是防范产(chǎn)品网络安全问题(tí)危(wēi)害国家(jiā)关键(jiàn)信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安全的必要(yào)措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进高水平对(duì)外(wài)开放，只要遵守中国法律法规(guī)要(yào)求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关键信息基(jī)础设施供应链安全(quán)，防(fáng)范产(chǎn)品问题(tí)隐患造成(chéng)网络安全风险，维(wéi)护(hù)国家安全，依据《中(zhōng)华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施(shī)网络安(ān)全审(shěn)查(chá)。

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　　美(měi)光是美(měi)国的存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司披露过美光等国(guó)际(jì)存储厂商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波龙采购(gòu)占比已经(jīng)显著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不(bù)是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙第一大存(cún)储晶圆(yuán)供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和(hé)第三(sān)大(dà)供应商采购(gòu)金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经(jīng)在存(cún)储产业链上(shàng)下游建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年(nián)年(nián)报显(xiǎn)示(shì)，江波(bō)龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在下游市场的(de)供应优(yōu)势，公司也与国(guó)内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前(qián)就分析，如果(guǒ)美光在中国(guó)区销(xiāo)售受(shòu)到限制，或将(jiāng)导致下游客(kè)户尿布疹擦红霉素软膏效果好吗，尿布疹红霉素软膏一天涂几次转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的(de)孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及(jí)刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入(rù)美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关公(gōng)司份额提(tí)升，以及(jí)存(cún)储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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