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　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通过网络安全审(shěn)查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息(xī)，日前(qián)，网络安全审查办(bàn)公室依法对美光公司(sī)在(zài)华(huá)销售产品进行了(le)网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息基础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安全(quán)审(shěn)查办(bàn)公室依法作出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我国(guó)内关键信息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购(gòu)美(měi)光公司(sī)产品。

　　此次对(duì)美光公司(sī)产(chǎn)品进行网络安(ān)全审查，目的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全问题危害国(guó)家(jiā)关键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施安全(quán)，是维(wéi)护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施供应(yīng)链安全(quán)，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家(jiā)安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审查办法(fǎ)》，对(duì千树万树梨花开的上一句是什么，千树万树梨花开的上一句是什么古诗)美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络(luò)安全(quán)审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显(xiǎn)著(zhù)下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大(dà)和第三大供应(yīng)商采购(gòu)金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产(chǎn)业链上下游(yóu)建(jiàn)立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三(sān)星、美(měi)光、西(xī)部数(shù)据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分析，如果美光在中(zhōng)国(guó)区销售受到限制，或将(jiāng)导致下(xià)游客户(hù)转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分千树万树梨花开的上一句是什么，千树万树梨花开的上一句是什么古诗='color: #ff0000; line-height: 24px;'>千树万树梨花开的上一句是什么，千树万树梨花开的上一句是什么古诗析称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上(shàng)游设备(bèi)厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储器(qì)的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉(chén)积(jī)工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75％。自(zì)长江存(cún)储被加入美国限(xiàn)制名单(dān)，设备国产化(huà)进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积(jī)）等(děng)相关公司份(fèn)额提升，以及存储业(yè)务(wù)占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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