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　　美光(guāng)公司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全审查办公室依法对美光公(gōng)司在华销售产品进(jìn)行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在(zài)较严重网络安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造(zào)成(chéng)重大安(ān)全风(fēng)险，影响我国(guó)国家安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办(bàn)公室依法作出(chū)不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关键信息基础设施的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产品进行网络安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安(ān)全问(wèn)题危害国家(jiā)关(guān)键信息基础设施安全，是维护(hù)国家安全的(de)必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称，为(wèi)保障关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链安全，防范产品(pǐn)问题(tí)隐患造成(chéng)网络安全(quán)风险，维护国(guó)家安全，依据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室(shì)按照《网络安全审(shěn)查(chá)办琪琪格蒙语什么意思法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是全球存(cún)储芯(xīn)片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收(shōu)入来自中国市场(chǎng)收(shōu)入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星电(dià琪琪格蒙语什么意思n)子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在(zài)全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司(sī)披露过(guò)美光等国(guó)际(jì)存储厂(chǎng)商为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波(bō)龙采购占比已经(jīng)显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和(hé)第三大供(gōng)应(yīng)商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部数据等(děng)主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定(dìng)性，巩固公司在(zài)下游市场的(de)供应(yīng)优势，公(gōng)司也(yě)与(yǔ)国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前(qián)就分析(xī)，如果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将导致(zhì)下游(yóu)客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对(duì)产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或从中受益(yì)。存储器(qì)的生产(chǎn)已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过(guò)薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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